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先进电子材料项目启动了北京大学、清华大学等14个单位,共同开发第三代半导体氮化物

发布时间:2019-08-31 08:23 作者:凤凰联盟官网 访问量:240

  文摘:10月18日,。北京大,学、清;华大学等14个单位联合开展了氮化物半导体新结构材料和新功能设备研&#;究项目。本项目是战略先进电子材料研发项目的重!点.

  2018年10月18日,北京大学作为领导单位。。清华大学中国科学院苏州纳米技术与纳米仿&#;生研究所等14。个单位联合开展了氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究项目。

  战略先进电子材料的实施!周期为5年(20,16-2020年)。根据第三代半导、体材料和半导体照明新显示的大功率激光材料、和设备的高端光电子和微&#;电子材料,共部署了35项研究任凤凰联盟官网务。计划在。2018年开展5项研究项目。

  据报道,氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究项目围绕后摩尔信息领域对光电子!和电子设备的需求。对基于氮化物半导体的新结构材料!和新功能设备进行了研究。突破了氮化物半导体的零维量子,点、一维量子线和二维量;子夹及其复合结构。深入研究低维量子结构中载流子的运输/运输/运输/运行及其监管法。开发了单光子源紫外。红外双色探测器泰!赫兹发射和探测设备和自旋场效应晶体管装置,形成独立知识产权的核心技术。,为第三代半导体材料和、设!备的连续发!展奠定了基矗

  第三代半导体材料和相关设备芯片由氮化镓(GaN)碳化硅(Sic,)代表。具有禁带宽突破电场!强度高、饱和电。子迁移率高、热导率高、;介电常数孝抗辐射能力强等优点。广泛应用于新能源汽车轨道交通智能电网、新一代移。动消费电子等领域。它被认为是支持能源、交通信息、国防等行业发展的核心技术。郝悦院,士说,氮化物材料系统的总体发展是非常。好的。首先,它在光电LED领域取得了巨大的成功,微波电;子设备领域;开始得到广泛的应用。、特别是在移动通信和国防领域(雷达电子对抗通信等)。然而,由于我国对SiCGaN材料和设备;的研究较晚,与国外相比仍存在差距。迫切需要改进SiC和GaN材料的准备和质量。